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IPB80N06S2L05ATMA1

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	154K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB80N06S2L05ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0057 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB80N06S2L05ATMA1 数据手册

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IPB80N06S2L-05

IPI80N06S2L-05, IPP80N06S2L-05

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

V_DS

Features

4.5

• N-channel Logic Level - Enhancement mode

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

PG-TO262-3-1

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB80N06S2L-05

IPP80N06S2L-05

IPI80N06S2L-05

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

PG-TO262-3-1

SP0002-19004

SP0002-19000

SP0002-19002

2N06L05

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

Gate source voltage⁴⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D= 80 A

320

800

V_GS

±20

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.0

page 1

2006-03-13

12 3 4 5 6 7 8

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IPB80N06S2L05ATMA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB100N06S2L05ATMA2	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IPB80N06S2L05ATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB80N06S2L-06	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB80N06S2L06ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N06S2L06ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N06S2L-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB80N06S2L07ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N06S2L07ATMA3	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N06S2L-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB80N06S2L-11	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB80N06S2L-11_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB80N06S2L11ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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