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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPB083N10N3G
IPB083N10N3G PDF预览

IPB083N10N3G

更新时间： 2024-11-24 11:08:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 476K
描述
OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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IPB083N10N3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0083 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB083N10N3G 数据手册

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IPP086N10N3 G  
IPI086N10N3 G  
IPB083N10N3 G IPD082N10N3 G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
8.2  
80  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max (TO 252)  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21 *  
Type  
IPP086N10N3 G  
IPI086N10N3 G  
IPB083N10N3 G  
IPD082N10N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO220-3  
086N10N  
PG-TO262-3  
086N10N  
PG-TO263-3  
083N10N  
PG-TO252-3  
082N10N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
80  
58  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
320  
I D=73 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
110  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
125  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3  
* Excep D-PAK ( TO-252-3 )  
Rev. 2.5  
page 1  
2010-07-16  
1234567...12

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IPB083N10N3G 替代型号

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