是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.64 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 110 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0083 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPB08CN10NG | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB083N15N5LF | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™线性FET是一种全新方法,实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻(R | |
IPB085N06LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB085N06LG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ Power-Transistor Features For fast s | |
IPB08CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB08CN10NG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor Features Excellent | |
IPB08CN10NGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB08CNE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB090N06N3 G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器 | |
IPB090N06N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor | |
IPB091N06NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |