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IPB083N15N5LF

更新时间： 2024-11-07 11:14:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
11页	994K
描述
OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R DS（on））和线性模式能力的出色平衡。它提供先进的沟槽栅MOSFET R DS（on）以及经典平面MOSFET的宽安全工作区。

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IPB083N15N5LF 数据手册

IPB083N15N5LF

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ5ꢀLinearꢀFET,ꢀ150ꢀV

D²PAK

Features

tab

•ꢀIdealꢀforꢀhot-swapꢀandꢀe-fuseꢀapplications

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀꢀR_DS(on)

•ꢀWideꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀSOA

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

V_DS

150

Gate

Pin 1

R_DS(on),max

I_D

8.3

mΩ

Source

Pin 3

105

I_pulseꢀ(V_DS=56ꢀV,ꢀt_p=10

ms)

5.6

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPB083N15N5LF

PG-TO263-3

083N15LF

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2022-09-09

12 3 4 5 6 7...11

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