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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 75 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0151 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 63 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 350 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB09N09LA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0151ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB100N04S2-04 | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor |
|
| IPB100N04S204ATMA4 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB100N04S2L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
|
| IPB100N04S3-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPB100N04S4-H2 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB100N04S4H2ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB100N06S2-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| IPB100N06S205ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB100N06S205ATMA4 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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