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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPB075N04LG
IPB075N04LG PDF预览

IPB075N04LG

更新时间： 2024-11-06 11:08:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 203K
描述
OptiMOS?3 Power-Transistor

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IPB075N04LG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：56 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB075N04LG 数据手册

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IPB075N04L G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
40  
7.5  
50  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
PG-TO263-3  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 100% Avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
IPB075N04L G  
PG-TO263-3  
075N04L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
50  
46  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
50  
40  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
T C=25 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
350  
50  
Avalanche current, single pulse3)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
E AS  
V GS  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
20  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.0  
page 1  
2010-04-23  
1234567...9

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