IPB070N06NG

更新时间： 2024-11-20 03:44:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
OptiMOS㈢ Power-Transistor

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IPB070N06NG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	530 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0067 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB070N06NG 数据手册

IPB070N06N G IPP070N06N G

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

6.7

• Low gate charge for fast switching applications

• N-channel enhancement - normal level

R _{DS(on),max SMDversion}

I _D

mΩ

• 175 °C operating temperature

• Avalanche rated

• Pb-free lead plating, RoHS compliant

IPB070N06N G

IPP070N06N G

Type

Package

Marking

IPB066N06N G

Package

P-TOP2-6T3O-32-623-3-2

070NP0-6TNO220-3-1

P-0T6O6N22006-N3-1

07006N6N060N6N

IPP066N06N G

Marking

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C¹⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _C=25 °C²⁾

I _D,pulse

Pulsed drain current

320

530

E _AS

I _D=80 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=80 A, V _DS=48 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V _GS

Gate source voltage

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

250

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾Current is limited by bondwire; with an R _thJC=0.6 K/W the chip is able to carry 127 A.

²⁾See figure 3

Rev. 1.01

page 1

2006-06-19

12 3 4 5 6 7...10

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IPB070N06NG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NP80N055NDG-S18-AY	RENESAS	功能相似	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP80N055PDG-E2B-AY	RENESAS	功能相似	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

与IPB070N06NG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB070N06NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB070N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPB072N15N3 G	INFINEON	获取价格	与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F
IPB072N15N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPB072N15N3-G	INFINEON	获取价格	OptiMOS 3 Power-Transistor
IPB072N15N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB073N15N5	INFINEON	获取价格	英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等
IPB075N04LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB075N04LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB07N03L	INFINEON	获取价格	OptiMOS Buck converter series

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