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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0066 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 115 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB070N06NG | INFINEON |
功能相似  |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP80N055PDG-E2B-AYNote | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP80N06ELC | RENESAS |
获取价格 |
80A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN |
|
| NP80N06ELD | RENESAS |
获取价格 |
80A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZJ, 3 PIN |
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| NP80N06MLG | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP80N06MLG_15 | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
| NP80N06MLG-S18-AY | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP80N06MLG-S18-AYNote | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
| NP80N06NLG | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP80N06NLG-S18-AY | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP80N06NLG-S18-AYNote | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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