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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MP-25SK | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0086 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 115 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NP80N06MLG-S18-AY | RENESAS |
类似代替  |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| NP80N06PLG-E1B-AY | RENESAS |
类似代替 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| IPB77N06S3-09 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP80N06NLG-S18-AYNote | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
| NP80N06PLG | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| NP80N06PLG-E1B-AY | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| NP80N06PLG-E1B-AYNote | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
| NP80N06PLG-E2B-AY | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| NP80N06PLG-E2B-AYNote | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
| N-P-8-1-CF | DDK |
获取价格 |
N Style Coaxial Connector |
|
| N-P-8-1-NI-CF | DDK |
获取价格 |
N Style Coaxial Connector |
|
| NP82N03PUG | RENESAS |
获取价格 |
Product Scout Automotive |
|
| NP82N03PUG-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
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