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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | MP-25ZP | 包装说明： | TO-263, MP-25ZP, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.31 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 82 A | 最大漏极电流 (ID)： | 82 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 143 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 328 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP82N04PDG-E2-AY | RENESAS |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N04PUG | RENESAS |
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82A, 40V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN |
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| NP82N04PUG-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
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| NP82N04PUG-AZ | RENESAS |
获取价格 |
82A, 40V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN |
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| NP82N04PUG-E1 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
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| NP82N04PUG-E1-AZ | RENESAS |
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Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape |
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| NP82N04PUG-E1B-AY | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape |
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| NP82N04PUG-E2 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
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| NP82N04PUG-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape |
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| NP82N055CHE | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING SWITCHING |
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