Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NP82N055CLE-S12-AZ

NP82N055CLE-S12-AZ

更新时间： 2024-01-12 15:08:33

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
10页	218K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NP82N055CLE-S12-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	LEAD FREE, MP-25, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	289 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	82 A	最大漏极电流 (ID)：	82 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	163 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP82N055CLE-S12-AZ 数据手册

浏览型号NP82N055CLE-S12-AZ的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号NP82N055CLE-S12-AZ的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号NP82N055CLE-S12-AZ的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号NP82N055CLE-S12-AZ的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号NP82N055CLE-S12-AZ的Datasheet PDF文件第6页

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP82N055ELE, NP82N055KLE

NP82N055CLE, NP82N055DLE, NP82N055MLE, NP82N055NLE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

<R>

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP82N055ELE-E1-AY ^{Note1, 2}

NP82N055ELE-E2-AY ^{Note1, 2}

NP82N055KLE-E1-AY ^Note1

NP82N055KLE-E2-AY ^Note1

NP82N055CLE-S12-AZ ^{Note1, 2}

NP82N055DLE-S12-AY ^{Note1, 2}

NP82N055MLE-S18-AY ^Note1

NP82N055NLE-S18-AY ^Note1

TO-263 (MP-25ZJ) typ. 1.4 g

Tape 800 p/reel

TO-263 (MP-25ZK) typ. 1.5 g

Sn-Ag-Cu

TO-220 (MP-25) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25 Fin Cut) typ. 1.8 g

TO-220 (MP-25K) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25SK) typ. 1.8 g

Tube 50 p/tube

Pure Sn (Tin)

Notes 1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)

2. Not for new design

(TO-220)

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 8.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

R^DS(on)2= 11 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID = 41 A)

R^DS(on)3= 12 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A)

• Low input capacitance

(TO-262)

C^iss= 4400 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-263)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D14098EJ6V0DS00 (6th edition)

Date Published October 2007 NS

Printed in Japan

1999, 2000, 2007

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与NP82N055CLE-S12-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP82N055DHE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING SWITCHING
NP82N055DHE	RENESAS	获取价格	82A, 55V, 0.0086ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, FIN CUT, MP-25, 3 PIN
NP82N055DHE-AZ	RENESAS	获取价格	82A, 55V, 0.0086ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, FIN CUT, MP-25, 3 PIN
NP82N055DHE-S12-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055DLE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055DLE	RENESAS	获取价格	82A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
NP82N055DLE-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,82A I(D),TO-262
NP82N055DLE-AZ	RENESAS	获取价格	82A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
NP82N055DLE-S12-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055EHE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING SWITCHING

与NP82N055CLE-S12-AZ相关文章

MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

1
2N7002DW数据手册：参数解读、引脚信息、替代型号推荐
2024-07-02

1
网络滤波器、EMI滤波器与EMC滤波器在电子元器件中的分类关系
2024-07-02

2
NTC热敏电阻与PTC热敏电阻的应用原理及选型原则
2024-07-02

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NP82N055CLE-S12-AZ

NP82N055CLE-S12-AZ 技术参数

NP82N055CLE-S12-AZ 数据手册

与NP82N055CLE-S12-AZ相关器件

与NP82N055CLE-S12-AZ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NP82N055CLE-S12-AZ

NP82N055CLE-S12-AZ 技术参数

NP82N055CLE-S12-AZ 数据手册

与NP82N055CLE-S12-AZ相关器件

与NP82N055CLE-S12-AZ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？