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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.24 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 289 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 82 A | 最大漏极电流 (ID)： | 82 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0086 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 163 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP82N055KHE-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
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| NP82N055KHE-E1-AY | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N055KHE-E2-AY | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N055KLE | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N055KLE | RENESAS |
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82A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN |
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| NP82N055KLE-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
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| NP82N055KLE-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| NP82N055KLE-AZ | RENESAS |
获取价格 |
82A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN |
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| NP82N055KLE-E1-AY | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N055KLE-E2-AY | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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