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NP82N055KLE

更新时间： 2024-02-02 04:48:56

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	81K
描述
82A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN

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NP82N055KLE 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	289 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	82 A
最大漏极电流 (ID)：	82 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	163 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP82N055KLE 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP82N055CLE,NP82N055DLE,NP82N055ELE,NP82N055KLE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

These products are N-channel MOS Field Effect

Transistor designed for high current switching

applications.

PART NUMBER

NP82N055CLE

NP82N055DLE

NP82N055ELE

NP82N055KLE

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

TO-263 (MP-25ZJ)

TO-263 (MP-25ZK)

FEATURES

★

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 8.4 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 41 A)

R^DS(on)2= 11 mΩ MAX. (V^GS= 5.0 V, I^D= 41 A)

• Low C^iss: C^iss= 4400 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C) ^Note1

Drain Current (Pulse) ^Note2

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

±82

(TO-262)

±300

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

163

°C

P^T

1.8

Tch

175

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

Tstg

–55 to +175

72 / 50 / 17

51 / 250 / 289

I^AS

E^AS

(TO-263)

Notes 1. Calculated constant current according to MAX. allowable channel

temperature.

2. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

3. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 28 V, R^G= 25 Ω , V^GS= 20 → 0 V (see Figure 4.)

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

R^th(ch-C)

0.92

83.3

°C/W

Rth(ch-A)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

The mark ★ shows major revised points.

Document No. D14098EJ5V0DS00 (5th edition)

Date Published December 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

1999, 2000

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP82N055KLE-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB
NP82N055KLE-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NP82N055KLE-AZ	RENESAS	获取价格	82A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN
NP82N055KLE-E1-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055KLE-E2-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055MHE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055MHE	RENESAS	获取价格	Product Scout Automotive
NP82N055MHE-S18-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055MLE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055MLE	RENESAS	获取价格	Product Scout Automotive

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