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NP82N055PUG-AZ

更新时间： 2024-01-17 18:01:12

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	187K
描述
82A, 55V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN

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NP82N055PUG-AZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.12
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	82 A
最大漏极电流 (ID)：	82 A	最大漏源导通电阻：	0.0052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	288 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	328 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP82N055PUG-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP82N055PUG

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The NP82N055PUG is N-channel MOS Field Effect

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

Transistor designed for high current switching applications.

NP82N055PUG

TO-263 (MP-25ZP)

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rating

• Super low on-state resistance

R^DS(on)= 5.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

• Low Ciss: Ciss = 6400 pF TYP.

(TO-263)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

±20

±82

±328

1.8

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

143

T^ch

175

Storage Temperature

T^stg

−55 to +175

Repetitive Avalanche Current ^Note2

Repetitive Avalanche Energy ^Note2

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

I^AR

E^AR

144

2. T^ch≤ 150°C, VDD = 28 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Rth(ch-C)

1.05

83.3

°C/W

Channel to Ambient Thermal Resistance R^th(ch-A)

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16859EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published July 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

2004

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP82N055PUG-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB
NP82N06MLG	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP82N06MLG-S18-AY	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP82N06NLG	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP82N06NLG-S18-AY	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP82N06PDG	RENESAS	获取价格	Product Scout Automotive
NP82N06PDG_15	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N06PDG-E1-AY	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N06PDG-E1-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
NP82N06PDG-E1-AYNote	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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