NP82N06PLG

更新时间： 2024-01-23 17:17:23

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP82N06PLG 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	82 A	最大漏源导通电阻：	0.0085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	270 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP82N06PLG 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP82N06PLG

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The NP82N06PLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP82N06PLG-E1-AY ^Note

NP82N06PLG-E2-AY ^Note

Tape

TO-263 (MP-25ZP)

800 p/reel

Note Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)

FEATURES

(TO-263)

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 6.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

R^DS(on)2= 8.5 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 41 A)

• Low input capacitance

C^iss= 5700 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

270

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

143

°C

PT2

1.8

T^ch

175

Storage Temperature

T^stg

−55 to +175

Repetitive Avalanche Current ^Note2

Repetitive Avalanche Energy ^Note2

I^AR

E^AR

137

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. T^ch≤ 150°C, VDD = 30 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 μH

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

1.05

83.3

°C/W

R^th(ch-A)

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Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18777EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 2007 NS

Printed in Japan

2007

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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