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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | MP-25ZP | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.32 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 82 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 82 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 270 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP82N06PDG-E2-AYNote | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N06PLG | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N06PLG | RENESAS |
获取价格 |
Product Scout Automotive |
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| NP82N06PLG_15 | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N06PLG-E1-AY | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N06PLG-E1-AYNote | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N06PLG-E2-AY | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N06PLG-E2-AYNote | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N10PUF | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP82N10PUF-E1-AY | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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