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NP82N06PDG-E1-AY

更新时间： 2024-01-18 01:00:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	170K
描述
Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZP, 3 PIN

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NP82N06PDG-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.28
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	82 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	270 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP82N06PDG-E1-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP82N06PDG

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The NP82N06PDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP82N06PDG-E1-AY ^Note

NP82N06PDG-E2-AY ^Note

Tape

TO-263 (MP-25ZP)

typ. 1.5 g

800 p/reel

Note See “TAPE INFORMATION”

FEATURES

(TO-263)

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 6.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

R^DS(on)2= 8.5 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 41 A)

• Low C^iss

Ciss = 5700 pF TYP.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

±20

±82

±270

143

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.8

T^ch

175

Storage Temperature

Repetitive Avalanche Current ^Note2

T^stg

−55 to +175

IAR

Repetitive Avalanche Energy ^Note2

E^AR

137

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. T^ch≤ 150°C, VDD = 30 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

1.05

83.3

°C/W

R^th(ch-A)

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18227EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 2006 NS CP(K)

Printed in Japan

2006

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP82N06PDG-E1-AYNote	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N06PDG-E2-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
NP82N06PDG-E2-AY	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N06PDG-E2-AYNote	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N06PLG	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N06PLG	RENESAS	获取价格	Product Scout Automotive
NP82N06PLG_15	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N06PLG-E1-AY	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N06PLG-E1-AYNote	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N06PLG-E2-AY	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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