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NP82N055EHE-E1-AY

更新时间： 2024-01-27 01:09:54

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管场效应晶体管脉冲
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描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP82N055EHE-E1-AY 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
雪崩能效等级（Eas）：	289 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	82 A	最大漏源导通电阻：	0.0086 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP82N055EHE-E1-AY 数据手册

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DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP82N055EHE, NP82N055KHE

NP82N055CHE, NP82N055DHE, NP82N055MHE, NP82N055NHE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

<R>

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP82N055EHE-E1-AY ^{Note1, 2}

NP82N055EHE-E2-AY ^{Note1, 2}

NP82N055KHE-E1-AY ^Note1

NP82N055KHE-E2-AY ^Note1

NP82N055CHE-S12-AZ ^{Note1, 2}

NP82N055DHE-S12-AY ^{Note1, 2}

NP82N055MHE-S18-AY ^Note1

NP82N055NHE-S18-AY ^Note1

TO-263 (MP-25ZJ) typ. 1.4 g

Tape 800 p/reel

TO-263 (MP-25ZK) typ. 1.5 g

Sn-Ag-Cu

TO-220 (MP-25) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25 Fin Cut) typ. 1.8 g

TO-220 (MP-25K) typ. 1.9 g

TO-262 (MP-25SK) typ. 1.8 g

Tube 50 p/tube

Pure Sn (Tin)

Notes 1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)

2. Not for new design

(TO-220)

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

R^DS(on)= 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

• Low input capacitance

(TO-262)

C^iss= 3500 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-263)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D14138EJ6V0DS00 (6th edition)

Date Published October 2007 NS

Printed in Japan

1999, 2007

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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