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NP82N055DHE-AZ

更新时间： 2024-11-27 21:14:11

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
8页	75K
描述
82A, 55V, 0.0086ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, FIN CUT, MP-25, 3 PIN

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NP82N055DHE-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	289 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	82 A
最大漏极电流 (ID)：	82 A	最大漏源导通电阻：	0.0086 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP82N055DHE-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP82N055CHE, NP82N055DHE, NP82N055EHE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

These products are N-channel MOS Field Effect

PART NUMBER

NP82N055CHE

NP82N055DHE

NP82N055EHE

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

TO-263

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

R^DS(on)= 8.6 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 41 A)

• Low C^iss: C^iss= 3500 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

(TO-262)

Gate to Source Voltage

Note1

Drain Current (DC)

±82

Note2

Drain Current (Pulse)

±300

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

1.8

P^T

163

Note3

Single Avalanche Current

I^AS

72 / 49 / 17

51 / 240 / 289

175

Note3

Single Avalanche Energy

E^AS

T^ch

°C

(TO-263)

Channel Temperature

Storage Temperature

T^stg

–55 to +175

Notes 1. Calculated constant current according to MAX. allowable channel

temperature.

2. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

3. Starting T^ch= 25°C, R^G= 25 Ω , V^GS= 20 V → 0 V (See Figure 4.)

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

R^th(ch-C)

R^th(ch-A)

0.92

83.3

°C/W

Channel to Ambient

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published March 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D14138EJ4V0DS00 (4th edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP82N055DHE-S12-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055DLE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055DLE	RENESAS	获取价格	82A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
NP82N055DLE-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,82A I(D),TO-262
NP82N055DLE-AZ	RENESAS	获取价格	82A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
NP82N055DLE-S12-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055EHE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING SWITCHING
NP82N055EHE-E1-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055EHE-E2-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055ELE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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