NP82N055EHE

更新时间： 2024-11-26 21:53:39

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管场效应晶体管脉冲
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描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING SWITCHING

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NP82N055EHE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-263, MP-25ZJ, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	289 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	82 A	最大漏源导通电阻：	0.0086 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP82N055EHE 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP82N055CHE,NP82N055DHE,NP82N055EHE,NP82N055KHE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PART NUMBER

NP82N055CHE

NP82N055DHE

NP82N055EHE

NP82N055KHE

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

FEATURES

TO-263 (MP-25ZJ)

TO-263 (MP-25ZK)

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

R^DS(on)= 8.6 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 41 A)

• Low C^iss: C^iss= 3500 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

★

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

±82

±300

1.8

Drain Current (pulse) ^Note2

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

(TO-262)

P^T

163

175

Tch

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^Note3

Tstg

–55 to +175

72 / 49 / 17

I^AS

Single Avalanche Energy ^Note3

E^AS

51 / 240 / 289

Notes 1. Calculated constant current according to MAX. allowable channel

temperature.

(TO-263)

2. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

3. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 28 V, R^G= 25 Ω , V^GS= 20 → 0 V (See Figure 4.)

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

R^th(ch-C)

0.92

83.3

°C/W

Rth(ch-A)

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

The mark ★ shows major revised points.

Document No. D14138EJ5V0DS00 (5th edition)

Date Published December 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

1999

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP82N055EHE-E1-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055EHE-E2-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N055ELE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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