5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 82 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 143 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP82N04PUG-AZ | RENESAS |
获取价格 |
82A, 40V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN |
|
| NP82N04PUG-E1 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
|
| NP82N04PUG-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape |
|
| NP82N04PUG-E1B-AY | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape |
|
| NP82N04PUG-E2 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
|
| NP82N04PUG-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape |
|
| NP82N055CHE | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING SWITCHING |
|
| NP82N055CHE_07 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
| NP82N055CHE-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| NP82N055CHE-S12-AZ | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
