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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.18 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 82 A | 最大漏极电流 (ID)： | 82 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 288 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 328 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP82N04PUG-E1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
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| NP82N04PUG-E1-AZ | RENESAS |
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Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape |
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| NP82N04PUG-E1B-AY | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape |
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| NP82N04PUG-E2 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
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| NP82N04PUG-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape |
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| NP82N055CHE | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING SWITCHING |
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| NP82N055CHE_07 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N055CHE-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| NP82N055CHE-S12-AZ | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| NP82N055CLE | RENESAS |
获取价格 |
82A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN |
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