5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NP82N04PDG_15 | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
| NP82N04PDG-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
|
| NP82N04PDG-E1-AY | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NP82N04PDG-E1-AY | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
| NP82N04PDG-E2-AY | RENESAS |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
| NP82N04PUG | RENESAS |
获取价格 |
82A, 40V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN |
|
| NP82N04PUG-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
|
| NP82N04PUG-AZ | RENESAS |
获取价格 |
82A, 40V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN |
|
| NP82N04PUG-E1 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
|
| NP82N04PUG-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
