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NP82N04PDG-E1-AY

更新时间： 2024-09-25 19:58:43

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	175K
描述
Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN

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NP82N04PDG-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.29	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	82 A	最大漏源导通电阻：	0.008 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	328 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP82N04PDG-E1-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP82N04PDG

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The NP82N04PDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

NP82N04PDG-E1-AY

NP82N04PDG-E2-AY

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

Tape

TO-263 (MP-25ZP)

typ. 1.5 g

800 p/reel

FEATURES

• Super low on-state resistance

(TO-263)

R^DS(on)1= 3.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

R^DS(on)2= 8.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A)

• Low C^issCiss = 6000 pF TYP.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

328

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

143

°C

PT2

1.8

T^ch

175

Storage Temperature

Repetitive Avalanche Current ^Note2

T^stg

−55 to +175

I^AR

Repetitive Avalanche Energy ^Note2

E^AR

185

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. T^ch≤ 150°C, VDD = 20 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

1.05

83.3

°C/W

R^th(ch-A)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18396EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published September 2006 NS CP(K)

Printed in Japan

2006

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP82N04PDG-E2-AY	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP82N04PUG	RENESAS	获取价格	82A, 40V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN
NP82N04PUG-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB
NP82N04PUG-AZ	RENESAS	获取价格	82A, 40V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN
NP82N04PUG-E1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB
NP82N04PUG-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape
NP82N04PUG-E1B-AY	RENESAS	获取价格	Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape
NP82N04PUG-E2	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB
NP82N04PUG-E2-AZ	RENESAS	获取价格	Power MOSFETs for Automotive, MP-25ZP, /Embossed Tape
NP82N055CHE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING SWITCHING

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