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IPB065N15N3GATMA1

更新时间: 2024-09-15 12:56:31
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲异步传输模式PCATM
页数 文件大小 规格书
9页 639K
描述
N-Channel, normal level

IPB065N15N3GATMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-263
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.62Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:885698
Samacsys Pin Count:7Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category:OtherSamacsys Footprint Name:PG-TO263-7-3
Samacsys Released Date:2019-06-25 05:55:53Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):780 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (ID):130 A最大漏源导通电阻:0.0065 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263
JESD-30 代码:R-PSSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):520 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB065N15N3GATMA1 数据手册

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IPB065N15N3 G  
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Product Summary  
Features  
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Type  
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Package  
Marking  
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(.-C)-C  
Maximum ratings, 1D T V   Tꢈ  E><5CC ? D85BG9C5 C@53 96954  
Value  
Parameter  
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