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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 164 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0063 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB070N06LG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB070N06LGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB070N06NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB070N06NGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB070N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPB072N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| IPB072N15N3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPB072N15N3-G | INFINEON |
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OptiMOS 3 Power-Transistor |
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| IPB072N15N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPB073N15N5 | INFINEON |
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英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等 |
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