IPB06CN10NG

更新时间： 2024-11-20 03:44:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
11页	524K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB06CN10NG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	480 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0062 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	214 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB06CN10NG 数据手册

IPB06CN10N G IPI06CN10N G

IPP06CN10N G

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

100

6.2

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO263)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

100

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

IPB06CN10N G

IPI06CN10N G

IPP06CN10N G

Type

PG-TO263-3

06CN10N

PG-TO262-3

06CN10N

PG-TO220-3

06CN10N

Package

Marking

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

100

T _C=100 °C

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

400

480

I _D=100 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=100 A, V _DS=80 V,

di /dt =100 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage⁴⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

214

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

Rev. 1.05

page 1

2006-06-02

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与IPB06CN10NG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB06CN10NG_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS?2 Power-Transistor
IPB06CN10NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB06CNE8NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB06N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
IPB06N03LAG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB06N03LB	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB070N06LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB070N06LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB070N06NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB070N06NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPB06CN10NG相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB06CN10NG

IPB06CN10NG 技术参数

IPB06CN10NG 数据手册

与IPB06CN10NG相关器件

与IPB06CN10NG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB06CN10NG

IPB06CN10NG 技术参数

IPB06CN10NG 数据手册

与IPB06CN10NG相关器件

与IPB06CN10NG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？