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IPB065N10N3G

更新时间： 2024-10-15 17:15:31

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
9页	876K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:80A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:6.5mΩ@10V

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IPB065N10N3G 数据手册

UMW

065N10N

N-Channel

100 V

MOSFET

Features

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

• V_DS

100V

• I (at V =10V)=80A

TO - 263

• R

(at V =10V) < 6.2mΩ

DS(ON)

Drain

Pin 2, Tab

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

Maximumꢀratings atꢀT_jꢀ=ꢀ25ꢀ°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

T_C=25ꢀ°C¹⁾

T_C=100ꢀ°C

I_D

Continuous drain current

Pulsed drain current¹⁾

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

320

160

T_C=25ꢀ°C

I_D,pulse

E_AS

I_D=80ꢀA,ꢀR_GS=25ꢀΩ

V_GS

P_tot

-20

-55

Power dissipation

150

T_C=25ꢀ°C

T T

_j,ꢀ

Operating and storage temperature

175

°C

stg

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6 7...9

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