Datasheet > IPB065N06LGATMA1

IPB065N06LGATMA1

更新时间： 2024-11-20 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	738K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB065N06LGATMA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	530 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.0062 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB065N06LGATMA1 数据手册

IPB065N06L G IPP065N06L G

"%&$!"#^™Power-Transistor

Product Summary

Features

V _9H

.&-

P ? A 61BC BF9C3 89>7 3 ? >E5AC5AB 1>4 BH>3 ꢀ A53 C9693 1C9? >

P ( ꢁ3 81>>5< 5>81>3 5=5>C ꢁ <? 793 <5E5<

R _{ꢒ ,ꢔ? >ꢕꢇ=1G}

I ₉

P ꢂ ꢃ ꢄ Sꢅ ? @5A1C9>7 C5=@5A1CDA5

P ꢆ E1<1>3 85 A1C54

P *2 ꢁ6A55 <514 @<1C9>7ꢇ + ? " , 3 ? =@<91>C

P " 1<? 75>ꢁ6A55 13 3 ? A49>7 C? #ꢈ ꢅ ꢉ ꢂ ꢊ ꢋ ꢌ ꢁꢊ ꢁꢊ ꢂ

Type

#*ꢖ ꢎ ꢉ ꢄ ( ꢎ ꢉ & !

#**ꢎ ꢉ ꢄ ( ꢎ ꢉ & !

Package

Marking

#*ꢖ ꢎ ꢉ ꢓ ( ꢎ ꢉ & !

Package

F%IE*.+%+%*

F=%IE*.+%+%*

(.+D(.B

F=%IE**(%+%)

#**ꢎ ꢉ ꢓ ( ꢎ ꢉ & !

Marking

FF%IE**(%+%)

(.-D(.B

(.+D(.B

(.-D(.B

Maximum ratings, 1C T _Vꢍ ꢊ ꢄ Sꢅ ꢇ D><5BB ? C85AF9B5 B@53 96954

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T ₈ꢍ ꢊ ꢄ Sꢅ ^)#

I ₉

ꢅ ? >C9>D? DB 4A19> 3 DAA5>C

T ₈ꢍ ꢂ ꢎ ꢎ Sꢅ

T ₈ꢍ ꢊ ꢄ Sꢅ ^*#

I _9$\`X^Q

*D<B54 4A19> 3 DAA5>C

+*(

-+(

E _6H

I ₉ꢍ ꢏ ꢎ ꢆ ꢇ R _=Hꢍ ꢊ ꢄ "

ꢆ E1<1>3 85 5>5A7Hꢇ B9>7<5 @D<B5

I ₉ꢍ ꢏ ꢎ ꢆ ꢇ V _9Hꢍ ꢋ ꢏ .ꢇ

Pi 'Pt ꢍ ꢊ ꢎ ꢎ ꢆ ꢐU Bꢇ

+ 5E5AB5 49? 45 4v 'Pt

Pv 'Pt

WJ'q^

_V$YMcꢍ ꢂ ꢃ ꢄ Sꢅ

V _=H

!1C5 B? DA3 5 E? <C175

p*(

P _{_[_}

T ₈ꢍ ꢊ ꢄ Sꢅ

*? F5A 49BB9@1C9? >

*-(

Sꢅ

T _Vꢇ T _{^_S}

) @5A1C9>7 1>4 BC? A175 C5=@5A1CDA5

#ꢈ ꢅ 3 <9=1C93 3 1C57? AHꢑ ꢒ #( #ꢈ ꢅ ꢉ ꢏ ꢁꢂ

ꢁꢄ ꢄ ꢀꢀꢀ ꢂ ꢃ ꢄ

ꢄ ꢄ ꢐꢂ ꢃ ꢄ ꢐꢄ ꢉ

^)#ꢅ DAA5>C 9B <9=9C54 2 H 2 ? >4F9A5ꢑ F9C8 1>R _{_T@8}ꢍ ꢎ ꢀꢉ % ꢐ/ C85 3 89@ 9B 12 <5 C? 3 1AAH ꢂ ꢊ ꢄ ꢆ ꢀ

^*#,55 697DA5 ꢓ

+ 5Eꢀ ꢂ ꢀꢄ

@175 ꢂ

ꢊ ꢎ ꢂ ꢎ ꢁꢎ ꢂ ꢁꢂ ꢏ

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与IPB065N06LGATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB065N10N3G	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IPB065N15N3 G	INFINEON	获取价格	与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F
IPB065N15N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPB065N15N3-G	INFINEON	获取价格	N-Channel, normal level
IPB065N15N3GATMA1	INFINEON	获取价格	N-Channel, normal level
IPB067N08N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
IPB067N08N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB068N20NM6	INFINEON	获取价格	IPB068N20NM6 OptiMOS? 6 200 V?is setting the new technology standard. It addresses the nee
IPB06CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB06CN10NG_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS?2 Power-Transistor

与IPB065N06LGATMA1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB065N06LGATMA1

IPB065N06LGATMA1 技术参数

IPB065N06LGATMA1 数据手册

与IPB065N06LGATMA1相关器件

与IPB065N06LGATMA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB065N06LGATMA1

IPB065N06LGATMA1 技术参数

IPB065N06LGATMA1 数据手册

与IPB065N06LGATMA1相关器件

与IPB065N06LGATMA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？