IPB05CN10NG

更新时间： 2024-11-20 03:44:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPB05CN10NG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	826 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0051 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB05CN10NG 数据手册

IPB05CN10N G IPI05CN10N G

IPP05CN10N G

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

100

5.1

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO 263)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

100

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

IPB05CN10N G

IPI05CN10N G

IPP05CN10N G

Type

PG-TO263-3

05CN10N

PG-TO262-3

05CN10N

PG-TO220-3

05CN10N

Package

Marking

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

100

400

826

T _C=100 °C

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

I _D=100 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=100 A, V _DS=80 V,

di /dt =100 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage ⁴⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

Rev. 1.05

page 1

2006-06-02

12 3 4 5 6 7...11

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IPB05CN10NG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB100N10S3-05	INFINEON	完全替代	OptiMOS-T Power-Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPB05CN10NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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