是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.82 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 136 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.005 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 94 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPB034N03LG | INFINEON |
类似代替 |
OptiMOSâ¢3 Power-Transistor | |
STD100N3LF3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 30V - 0.0045OHM - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET TM II Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB060N15N5 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车 | |
IPB065N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor | |
IPB065N06LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB065N06LG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS⢠Power-Transistor Features For fast | |
IPB065N06LGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB065N10N3G | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):100V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
IPB065N15N3 G | INFINEON |
获取价格 |
与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (F | |
IPB065N15N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPB065N15N3-G | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel, normal level | |
IPB065N15N3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
N-Channel, normal level |