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IPB060N15N5

更新时间: 2024-11-21 11:15:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 通信驱动驱动器
页数 文件大小 规格书
11页 1098K
描述
英飞凌推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 RDS(on)(与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25%)和 Q rr,而不影响 FOM gd 和 FOM OSS,从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外,超低反向恢复电荷(在 SuperSO8 中,Q rr = 26 nC)提高了换流坚固性。

IPB060N15N5 数据手册

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IPB060N15N5  
MOSFET  
OptiMOSª5ꢀPower-Transistor,ꢀ150ꢀV  
D²-PAKꢀ7pin  
Features  
ꢀFeatures  
tab  
•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀRDS(on)ꢀproductꢀ(FOM)  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)  
•ꢀVeryꢀlowꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)  
•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature  
1
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication  
•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
7
Drain  
Pin 4, tab  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
150  
6.0  
Unit  
Gate  
Pin 1  
VDS  
V
Source  
Pin 2,3,5,6,7  
RDS(on),maxꢀ(TO263)  
m  
A
ID  
136  
60  
Qrr  
nC  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPB060N15N5  
PG-TO263-7  
060N15N5  
-
1) J-STD20 and JESD22  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2016-12-13  

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