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IPB054N06N3GATMA1

更新时间： 2024-09-15 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	686K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB054N06N3GATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	1.64
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	77 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0057 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	115 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB054N06N3GATMA1 数据手册

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Product Summary

Features

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Package

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IPB054N06N3GATMA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB054N06N3G	INFINEON	完全替代	OptiMOS?3 Power-Transistor
STL85N6F3	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 60 V, 0.0057 Ω, 19 A PowerFLAT? 5x6
SPB80N06S2-H5	INFINEON	功能相似	OptiMOS Power-Transistor

与IPB054N06N3GATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB054N08N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
IPB054N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level
IPB054N08N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB055N03LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB055N08NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f
IPB057N06N	INFINEON	获取价格	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V
IPB057N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPB05CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05CN10NG_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS?2 Power-Transistor
IPB05CN10NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,

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