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IPB052N04NG

更新时间: 2024-11-05 11:08:43
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9页 202K
描述
OptiMOS?3 Power-Transistor

IPB052N04NG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):35 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):70 A
最大漏极电流 (ID):70 A最大漏源导通电阻:0.0052 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):79 W最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB052N04NG 数据手册

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IPB052N04N G  
OptiMOS3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
40  
5.2  
70  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• N-channel, normal level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 100% Avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPB052N04N G  
Package  
Marking  
PG-TO263-3  
052N04N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
70  
66  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
400  
70  
Avalanche current, single pulse3)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=70 A, R GS=25 Ω  
35  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.0  
page 1  
2010-04-22  

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