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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPB049NE7N3G
IPB049NE7N3G PDF预览

IPB049NE7N3G

更新时间： 2024-11-05 11:08:43
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 262K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

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IPB049NE7N3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：370 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0049 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB049NE7N3G 数据手册

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IPB049NE7N3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
75  
4.9  
80  
V
• Optimized technology for synchronous rectification  
• Ideal for high frequency switching and DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance RDS(on)  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, normal level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPB049NE7N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO263-3  
049NE7N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
80  
80  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
320  
Avalanche energy, single pulse3)  
I D=56 A, R GS=25 Ω  
370  
mJ  
V
V GS  
Gate source voltage  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
150  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-55 ... 175  
55/175/56  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1)J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3 for more detailed information  
3) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.2  
page 1  
2010-04-21  
1234567...9

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IPB049NE7N3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB049NE7N3GATMA1 INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDI047AN08A0 FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз

与IPB049NE7N3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB049NE7N3GATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB04CN10NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™2 Power-Transistor
IPB04CN10NGATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB04CNE8NG INFINEON

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 		OptiMOS™2 Power-Transistor
IPB04N03L INFINEON

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