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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPB050N06NG
IPB050N06NG PDF预览

IPB050N06NG

更新时间： 2024-11-09 03:44:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 451K
描述
OptiMOS㈢ Power-Transistor

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IPB050N06NG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：810 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0047 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB050N06NG 数据手册

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IPP050N06N G  
IPB050N06N G  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
60  
4.7  
100  
V
• For fast switching converters and sync. rectification  
• N-channel enhancement - normal level  
R DS(on),max SMDversion  
I D  
mΩ  
A
• 175 °C operating temperature  
• Avalanche rated  
• Pb-free lead plating, RoHS compliant  
IPP050N06L  
IPB050N06L  
Type  
P-TO220-3-1  
050N06L  
P-TO263-3-2  
050N06L  
Package  
Marking  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C1)  
I D  
Continuous drain current  
100  
100  
400  
810  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C2)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
E AS  
I D=100 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=100 A, V DS=48 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1) Current is limited by bondwire; with an RthJC=0.5 the chip is able to carry 160A  
2) See figure 3  
Rev. 1.11  
page 1  
2006-07-06  
1234567...10

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与IPB050N06NG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB050N10NF2S INFINEON

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IPB051NE8NG INFINEON

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 		OptiMOS™2 Power-Transistor Features N-channel
IPB051NE8NGATMA1 INFINEON

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