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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 810 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0047 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB050N10NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V |
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| IPB051NE8NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPB051NE8NG_10 | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor Features N-channel |
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| IPB051NE8NGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB052N04NG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPB054N06N3 G | INFINEON |
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OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| IPB054N06N3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
|
| IPB054N06N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB054N08N3 G | INFINEON |
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OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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| IPB054N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level |
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