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IPB051NE8NG

更新时间： 2024-09-15 03:44:19
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英飞凌 - INFINEON /
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11页 464K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPB051NE8NG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
雪崩能效等级（Eas）：826 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：85 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0051 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IPB051NE8NG 数据手册

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IPB051NE8N G IPI05CNE8N G  
IPP054NE8N G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
85  
5.1  
100  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max (TO 263)  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
IPB051NE8N G  
IPI05CNE8N G  
IPP054NE8N G  
Type  
PG-TO263-3  
051NE8N  
PG-TO262-3  
05CNE8N  
PG-TO220-3  
054NE8N  
Package  
Marking  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
100  
100  
400  
826  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
I D=100 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=100 A, V DS=68 V,  
di /dt =100 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage 4)  
V GS  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 1.04  
page 1  
2006-02-17  
1234567...11

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与IPB051NE8NG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB051NE8NG_10 INFINEON

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 		OptiMOS™2 Power-Transistor Features N-channel
IPB051NE8NGATMA1 INFINEON

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IPB052N04NG INFINEON

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 		OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB054N06N3 G INFINEON

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