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IPB050N10NF2S

更新时间: 2024-11-28 11:15:47
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 1162K
描述
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V features low RDS(on) of 5 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

IPB050N10NF2S 数据手册

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IPB050N10NF2S  
MOSFET  
StrongIRFETTMꢀ2ꢀPower-Transistor  
D²PAK  
Features  
tab  
•ꢀOptimizedꢀforꢀaꢀwideꢀrangeꢀofꢀapplications  
•ꢀN-Channel,ꢀnormalꢀlevel  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
2
1
3
Productꢀvalidation  
QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard  
Drain  
Pin 2, Tab  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
100  
5.05  
103  
67  
Unit  
Gate  
Pin 1  
VDS  
V
RDS(on),max  
ID  
m  
A
Source  
Pin 3  
Qoss  
nC  
nC  
QG  
51  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPB050N10NF2S  
PG-TO263-3  
050N10NS  
-
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-09-23  

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