5秒后页面跳转
IPB050N10NF2S PDF预览

IPB050N10NF2S

更新时间: 2024-11-06 11:15:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 1162K
描述
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V features low RDS(on) of 5 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

IPB050N10NF2S 数据手册

 浏览型号IPB050N10NF2S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB050N10NF2S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB050N10NF2S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB050N10NF2S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB050N10NF2S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB050N10NF2S的Datasheet PDF文件第7页 
IPB050N10NF2S  
MOSFET  
StrongIRFETTMꢀ2ꢀPower-Transistor  
D²PAK  
Features  
tab  
•ꢀOptimizedꢀforꢀaꢀwideꢀrangeꢀofꢀapplications  
•ꢀN-Channel,ꢀnormalꢀlevel  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
2
1
3
Productꢀvalidation  
QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard  
Drain  
Pin 2, Tab  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
100  
5.05  
103  
67  
Unit  
Gate  
Pin 1  
VDS  
V
RDS(on),max  
ID  
m  
A
Source  
Pin 3  
Qoss  
nC  
nC  
QG  
51  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPB050N10NF2S  
PG-TO263-3  
050N10NS  
-
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-09-23  

与IPB050N10NF2S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB051NE8NG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB051NE8NG_10 INFINEON

获取价格

OptiMOS™2 Power-Transistor Features N-channel
IPB051NE8NGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB052N04NG INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB054N06N3 G INFINEON

获取价格

OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器
IPB054N06N3G INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB054N06N3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB054N08N3 G INFINEON

获取价格

OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源
IPB054N08N3G INFINEON

获取价格

OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level
IPB054N08N3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me