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IPB049NE7N3GATMA1

更新时间： 2024-09-15 20:56:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 531K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

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IPB049NE7N3GATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：1.68
雪崩能效等级（Eas）：370 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0049 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB049NE7N3GATMA1 数据手册

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IPB049NE7N3GATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB049NE7N3G INFINEON

完全替代

 OptiMOSTM3 Power-Transistor
FDI047AN08A0 FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз

与IPB049NE7N3GATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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