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IPB04CNE8NG

更新时间: 2024-11-27 05:39:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 414K
描述
OptiMOS™2 Power-Transistor

IPB04CNE8NG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):1000 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:85 V最大漏极电流 (Abs) (ID):100 A
最大漏极电流 (ID):100 A最大漏源导通电阻:0.0039 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):300 W最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB04CNE8NG 数据手册

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IPB04CNE8N G  
IPP04CNE8N G  
OptiMOS2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
85  
3.9  
100  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max (TO 263)  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
•Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPB04CNE8N G  
IPP04CNE8N G  
Package  
Marking  
PG-TO263-3  
04CNE8N  
PG-TO220-3  
04CNE8N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
100  
100  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
400  
I D=100 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
1000  
mJ  
V
Gate source voltage 4)  
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 1.03  
page 1  
2010-01-13  

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