是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 85 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 100 A |
最大漏极电流 (ID): | 100 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0039 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPB054N08N3G | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB04N03L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Buck converter series | |
IPB04N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor | |
IPB04N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB04N03LB | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB050N06L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB050N06LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB050N06NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB050N10NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V | |
IPB051NE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB051NE8NG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor Features N-channel |