5秒后页面跳转
IPB04N03LAG PDF预览

IPB04N03LAG

更新时间: 2024-11-05 03:44:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 349K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

IPB04N03LAG 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.19Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):290 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A
最大漏极电流 (ID):80 A最大漏源导通电阻:0.0064 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):107 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):385 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB04N03LAG 数据手册

 浏览型号IPB04N03LAG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB04N03LAG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB04N03LAG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB04N03LAG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB04N03LAG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB04N03LAG的Datasheet PDF文件第7页 
IPB04N03LA G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
25  
3.9  
80  
V
• Ideal for high-frequency dc/dc converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R
DS(on),max (SMD version)  
m  
A
I D  
• N-channel - Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
PG-TO263  
• Superior thermal resistance  
• 175 °C operating temperature  
• dv /dt rated  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Marking  
IPB04N03LA G  
PG-TO263  
04N03LA  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
80  
80  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
385  
290  
E AS  
I D=77 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=80 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage4)  
V GS  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
107  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.7  
page 1  
2006-05-10  

IPB04N03LAG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB04N03LA INFINEON

完全替代

OptiMOS 2 Power-Transistor

与IPB04N03LAG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB04N03LB INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB050N06L INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06LG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06NG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N10NF2S INFINEON

获取价格

Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V
IPB051NE8NG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB051NE8NG_10 INFINEON

获取价格

OptiMOS™2 Power-Transistor Features N-channel
IPB051NE8NGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB052N04NG INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB054N06N3 G INFINEON

获取价格

OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器