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IPB04N03LB

更新时间: 2024-11-27 03:44:19
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 283K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

IPB04N03LB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):270 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A
最大漏极电流 (ID):80 A最大漏源导通电阻:0.0051 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):107 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB04N03LB 数据手册

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IPB04N03LB  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
3.5  
80  
V
• Ideal for high-frequency dc/dc converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• N-channel - Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
PG-TO263-3
• Superior thermal resistance  
• 175 °C operating temperature  
• dv /dt rated  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Marking  
IPB04N03LB  
P-TO263-3  
04N03LB  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
80  
80  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
320  
270  
E AS  
I D=80 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=80 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage4)  
V GS  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
107  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 0.94  
page 1  
2006-05-10  

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