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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPB04N03LB
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IPB04N03LB

更新时间： 2024-11-05 03:44:19
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 283K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPB04N03LB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：270 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0051 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：107 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB04N03LB 数据手册

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IPB04N03LB  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
3.5  
80  
V
• Ideal for high-frequency dc/dc converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel - Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
PG-TO263-3
• Superior thermal resistance  
• 175 °C operating temperature  
• dv /dt rated  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Marking  
IPB04N03LB  
P-TO263-3  
04N03LB  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
80  
80  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
320  
270  
E AS  
I D=80 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=80 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage4)  
V GS  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
107  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 0.94  
page 1  
2006-05-10  
1234567...9

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