生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 7.56 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas): | 290 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 25 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0064 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 107 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 385 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPB04N03LAG | INFINEON |
完全替代 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB04N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB04N03LB | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB050N06L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB050N06LG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB050N06NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB050N10NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V | |
IPB051NE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB051NE8NG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor Features N-channel | |
IPB051NE8NGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB052N04NG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |