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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0059 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 178 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB04N03LA | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPB04N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPB04N03LB | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPB050N06L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB050N06LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB050N06NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB050N10NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V |
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| IPB051NE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPB051NE8NG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor Features N-channel |
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| IPB051NE8NGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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