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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDI047AN08A0
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FDI047AN08A0

更新时间： 2024-11-05 22:22:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 599K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз

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FDI047AN08A0 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AB
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：475 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0047 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262ABJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：310 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDI047AN08A0 数据手册

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June 2004  
FDP047AN08A0 / FDI047AN08A0 / FDH047AN08A0  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
75V, 80A, 4.7mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
r
= 4.0mΩ (Typ.), V = 10V, I = 80A  
•
•
•
•
•
•
•
42V Automotive Load Control  
DS(ON)  
GS  
D
Q (tot) = 92nC (Typ.), V = 10V  
Starter / Alternator Systems  
g
GS  
Low Miller Charge  
Electronic Power Steering Systems  
Electronic Valve Train Systems  
Low Q Body Diode  
RR  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 24V and 48V systems  
Formerly developmental type 82684  
SOURCE  
DRAIN  
SOURCE  
D
S
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
GATE  
DRAIN  
FLANGE)  
G
(
DRAIN  
(FLANGE)  
TO-220AB  
FDP SERIES  
TO-262AB  
FDI SERIES  
TO-247  
FDH SERIES  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
75  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
20  
Drain Current  
o
80  
15  
A
A
Continuous (T < 144 C, V = 10V)  
C
GS  
I
D
o
o
Continuous (T = 25 C, V = 10V, with R = 62 C/W)  
θJA  
C
GS  
Pulsed  
Figure 4  
475  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
Power dissipation  
mJ  
W
AS  
310  
D
o
o
Derate above 25 C  
2.0  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, TO-262, TO-247  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-262 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-247 (Note 2)  
0.48  
62  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
C/W  
o
30  
C/W  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP047AN08A0 / FDI047AN08A0 / FDH047AN08A0 Rev. C  
1234567...10

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FDI047AN08A0 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB049NE7N3GATMA1 INFINEON

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