Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPB049N06L3G

IPB049N06L3G

更新时间： 2024-09-15 11:08:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
10页	286K
描述
OptiMOS?3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB049N06L3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	77 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0047 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	115 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB049N06L3G 数据手册

Type

IPB049N06L3 G IPP052N06L3 G

OptiMOS^™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

4.7

• Ideal for high frequency switching and sync. rec.

• Optimized technology for DC/DC converters

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

R _{DS(on),max (SMD)}

I _D

mΩ

• N-channel, logic level

• 100% avalanche tested

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB049N06L3 G

IPP052N06L3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

049N06L

PG-TO220-3

052N06L

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

320

Avalanche energy, single pulse⁴⁾

Gate source voltage

I _D=80 A, R _GS=25 Ω

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

115

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... 175

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾Current is limited by bondwire; with anR _thJC=1.3 K/W the chip is able to carry 114 A.

³⁾See figure 3 for more detailed information

⁴⁾See figure 13 for more detailed information

Rev. 2.4

page 1

2010-01-13

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与IPB049N06L3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB049N06L3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB049N08N5	INFINEON	获取价格	Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MO
IPB049NE7N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
IPB049NE7N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB04CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
IPB04CN10NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB04CNE8NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
IPB04N03L	INFINEON	获取价格	OptiMOS Buck converter series
IPB04N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
IPB04N03LAG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor

与IPB049N06L3G相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

84
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

78

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB049N06L3G

IPB049N06L3G 技术参数

IPB049N06L3G 数据手册

与IPB049N06L3G相关器件

与IPB049N06L3G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB049N06L3G

IPB049N06L3G 技术参数

IPB049N06L3G 数据手册

与IPB049N06L3G相关器件

与IPB049N06L3G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？