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IPB048N15N5LF

更新时间： 2024-11-05 21:19:11

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	899K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPB048N15N5LF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	2.27	雪崩能效等级（Eas）：	30 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.0048 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	23 pF
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	313 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB048N15N5LF 数据手册

IPB048N15N5LF

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ5ꢀLinearꢀFET,ꢀ150ꢀV

D²PAK

Features

•ꢀIdealꢀforꢀhot-swapꢀandꢀe-fuseꢀapplications

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀꢀR_DS(on)

•ꢀWideꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀSOA

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

150

4.8

Unit

V_DS

Gate

Pin 1

R_DS(on),max

mΩ

Source

Pin 3

I_Dꢀ(siliconꢀlimited)

I_Dꢀ(packageꢀlimited)

182

120

I_pulseꢀ(V_DS=56ꢀV,ꢀt_p=10

ms)

10.8

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB048N15N5LF

PG-TO 263-3

048N15LF

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2017-03-29

12 3 4 5 6 7...11

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与IPB048N15N5LF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB048N15N5LFATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB049N06L3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB049N06L3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB049N08N5	INFINEON	获取价格	Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MO
IPB049NE7N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
IPB049NE7N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB04CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
IPB04CN10NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB04CNE8NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
IPB04N03L	INFINEON	获取价格	OptiMOS Buck converter series