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IPB048N15N5LFATMA1

更新时间： 2024-09-15 20:37:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	1000K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2

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IPB048N15N5LFATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	18 weeks
风险等级：	2.24	雪崩能效等级（Eas）：	30 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.0048 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	23 pF
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	313 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB048N15N5LFATMA1 数据手册

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IPB048N15N5LF

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ5ꢀLinearꢀFET,ꢀ150ꢀV

D²PAK

Features

•ꢀIdealꢀforꢀhot-swapꢀandꢀe-fuseꢀapplications

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀꢀR_DS(on)

•ꢀWideꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀSOA

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

150

4.8

Unit

V_DS

Gate

Pin 1

R_DS(on),max

mΩ

Source

Pin 3

I_Dꢀ(siliconꢀlimited)

I_Dꢀ(packageꢀlimited)

182

120

I_pulseꢀ(V_DS=56ꢀV,ꢀt_p=10

ms)

10.8

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB048N15N5LF

PG-TO 263-3

048N15LF

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2017-03-29

12 3 4 5 6 7...11

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