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IPB048N15N5

更新时间： 2024-11-06 11:13:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 通信驱动开关脉冲晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
11页 1005K
描述
英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。产品突破性地降低了 R DS(on)（与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25％）和 Q rr，而不影响 FOM gd 和 FOM OSS，从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外，超低反向恢复电荷（在 SuperSO8 中，Q rr = 26 nC）提高了换流坚固性。

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IPB048N15N5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.65
雪崩能效等级（Eas）：230 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0048 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB048N15N5 数据手册

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IPB048N15N5  
MOSFET  
OptiMOSª5ꢀPower-Transistor,ꢀ150ꢀV  
D²PAK  
Features  
tab  
•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀRDS(on)ꢀproductꢀ(FOM)  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)  
•ꢀVeryꢀlowꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)  
•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication  
•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
1
3
Drain  
Pin 2, Tab  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
150  
4.8  
Unit  
VDS  
V
Gate  
Pin 1  
RDS(on),maxꢀ(TO263)  
mΩ  
A
Source  
Pin 3  
ID  
120  
83  
Qrr  
nC  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPB048N15N5  
PG-TO 263-3  
048N15N5  
-
1) J-STD20 and JESD22  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-04-20  
1234567...11

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与IPB048N15N5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB048N15N5ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IPB048N15N5LFATMA1 INFINEON

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