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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPD048N06L3G
IPD048N06L3G PDF预览

IPD048N06L3G

更新时间： 2024-09-10 11:08:43
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 218K
描述
OptiMOS(TM)3 Power-Transistor

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IPD048N06L3G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：68 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.0048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：115 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD048N06L3G 数据手册

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IPD048N06L3 G  
OptiMOS(TM)3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
60  
4.8  
90  
V
• Ideal for high frequency switching and sync. rec.  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance RDS(on)  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, logic level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
Type  
IPD048N06L3 G  
Package  
Marking  
PG-TO-252-3  
048N06L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
90  
82  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
360  
Avalanche energy, single pulse4)  
I D=90 A, R GS=25 Ω  
68  
mJ  
V
V GS  
Gate source voltage  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
115  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) Current is limited by bondwire; with anR thJC=1.3 K/W the chip is able to carry 115 A.  
3) See figure 3 for more detailed information  
4) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.0  
page 1  
2008-12-09  
1234567...9

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