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Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGT1N30N60A4D
HGT1N30N60A4D PDF预览

HGT1N30N60A4D

更新时间： 2024-09-14 22:20:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体二极管开关晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
9页 145K
描述
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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HGT1N30N60A4D 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：ISOTOP包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：96 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：70 ns门极发射器阈值电压最大值：7 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：255 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：238 ns
标称接通时间 (ton)：35 nsBase Number Matches：1

HGT1N30N60A4D 数据手册

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HGT1N30N60A4D  
Data Sheet  
December 2001  
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with  
Anti-Parallel Hyperfast Diode  
Features  
• 100kHz Operation At 390V, 20A  
The HGT1N30N60A4D is a MOS gated high voltage  
• 600V Switching SOA Capability  
switching device combining the best features of a MOSFETs  
and a bipolar transistor. These devices have the high input  
impedance of a MOSFET and the low on-state conduction  
loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage  
o
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 58ns at T = 125 C  
J
• Low Conduction Loss  
o
o
drop varies only moderately between 25 C and 150 C. This  
IGBT is ideal for many high voltage switching applications  
operating at high frequencies where low conduction losses  
are essential. This device has been optimized for high  
frequency switch mode power supplies.  
Symbol  
C
G
Formerly Developmental Type TA49345.  
Ordering Information  
E
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
30N60A4D  
HGT1N30N60A4D  
SOT-227  
Packaging  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
JEDEC STYLE SOT-227B  
GATE  
EMITTER  
TAB  
(ISOLATED)  
COLLECTOR  
EMITTER  
Fairchild CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS  
4,364,073  
4,598,461  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,417,385  
4,605,948  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,430,792  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,443,931  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,466,176  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,516,143  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
4,532,534  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,587,713  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGT1N30N60A4D Rev. B  
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HGT1N30N60A4D 替代型号

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